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雙端口SRAM如何提高系統(tǒng)的整體性能
SRAM 以其高速、靜態(tài)的優(yōu)點廣泛應(yīng)用于各種數(shù)字設(shè)備中，多被用作不同部件之間的緩沖，尤其在計算機體系架構(gòu)中扮演著重要的角色，即嵌入到CP
2020-07-03
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非易失性MRAM讀寫操作
高密度MRAM具有非常低的功率，高的讀取速度，非常高的數(shù)據(jù)保留能力和耐久性，適用于廣泛的應(yīng)用。單元面積僅為0 0456平方微米，讀取速度為10
2020-07-01
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非易失性存儲器MRAM的兩大優(yōu)點
新式存儲器技術(shù)隊伍包括MRAM、PCRAM和ReRAM，受惠技術(shù)、材料、設(shè)備等環(huán)節(jié)的關(guān)鍵突破，正邁向大規(guī)模量產(chǎn)的路上，眼前我們正處于見證存儲器歷
2020-06-29
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汽車導航系統(tǒng)應(yīng)用富士通FRAM鐵電存儲器MB85R2001
MB85R2001是一種富士通FRAM芯片，由262,144字×8位非易失性存儲單元組成，這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)創(chuàng)建。能夠保留數(shù)據(jù)
2020-06-24
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國內(nèi)首次實現(xiàn)晶圓級亞百納米ST-MRAM存儲器件制備
STT代表旋轉(zhuǎn)傳遞扭矩。在STT-MRAM器件中，電子的自旋使用自旋極化電流翻轉(zhuǎn)。這種效果是在磁性隧道結(jié)（MTJ）或自旋閥中實現(xiàn)的，STT-MRAM設(shè)備使用STT隧道結(jié)（STT-MTJ）。
2020-06-22
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不同類別存儲器基本原理
存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器。易失性存儲器分SRAM和DRAM；非易失性存儲器以Nor-flash和Nand-flash為典型代表。
2020-06-18
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