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MR10Q010-1Mb四路輸出高速串行SPI MRAM
1Mb串行MRAM具有四個串行I O路徑,旨在提高讀 寫速度并減少時鐘周期。EverspinTechnologies的具有QuadSPI接口的MR10Q010提供高達104MHz的時
2020-08-05
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什么是STT-MRAM?
隨著有希望的非易失性存儲器架構(gòu)的可用性不斷增加,以增加并潛在地替代傳統(tǒng)的易失性存儲器,新的SoC級存儲器測試和修復(fù)挑戰(zhàn)正在出現(xiàn)。通過
2020-08-03
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Everspin MRAM通過合作伙伴關(guān)系不斷發(fā)展其生態(tài)系統(tǒng)
Everspin在磁存儲器設(shè)計,制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識和經(jīng)驗在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨一無二的。Everspin擁有600多項有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán)
2020-07-30
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DDR存儲器系統(tǒng)是消費電子的核心
在當今的消費電子市場中,設(shè)計師面對6個月的設(shè)計窗口以在12個月的時間內(nèi)實現(xiàn)生產(chǎn)并不少見。這些消費者細分市場中的設(shè)計師面臨的問題之一是
2020-07-28
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DDR5 SDRAM規(guī)格發(fā)布:大容量滿足極速
半導(dǎo)體工程組織JEDEC為動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)設(shè)定了標準,該組織上周發(fā)布了最終的JESD79-5DDR5規(guī)范。新型存儲器是其每引腳數(shù)據(jù)傳輸速
2020-07-24
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FRAM的未來是更高的密度
最近出現(xiàn)的許多內(nèi)存問題都以3D Xpoint的形式出現(xiàn)在ReRAM,MRAM和PCRAM上。但是鐵電RAM(FRAM)在小型利基設(shè)備中得到了成功。去年對新興內(nèi)
2020-07-23
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