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靜態(tài)隨機SRAM
靜態(tài)隨機存儲器簡稱SRAM，英文為：Static Random Access Memory，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。
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偽靜態(tài)隨機pSRAM
pseudostatic random access memory 偽靜態(tài)隨機存取存儲器 PSRAM采用的是1T+1C的技術,所以在體積上更小, 同時,PSRAM的I/O接口與SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。 比較于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。 由SPI、Quad SPI (QPI) 和Octal SPI (OPI)幾種串行接口，用于需要小型化的場合， 能夠提供帶寬范圍從100Mbps ~ 2.128Gbps的大范圍。
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磁性非易失MRAM
磁性隨機存儲器芯片（MRAM） 一種非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。 它擁有靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力， 以及動態(tài)隨機存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入 Everspin MRAM其原理是利用電子自旋的磁性結(jié)構(gòu)，來提供不會產(chǎn)生損耗的非揮發(fā)特性。 Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁性材料中存儲信息，以在單一、可無限使用的組件中提供SRAM的速度以及閃存的非揮發(fā)特性。
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鐵電存儲器FeRAM
鐵電存儲器芯片（Ferroelectric RAM） 鐵電存儲器是一種特殊工藝的非易失性的存儲器，屬于一種隨機存取存儲器， 是采用人工合成的鉛鋯鈦(PZT) 材料形成存儲器結(jié)晶體 速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低
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非易失性NV-SRAM
非易失性存儲器芯片（NV SRAM） NVSRAM可提供16kb至16Mb的存儲容量，存取時間高達70ns。讀、寫接口均與SRAM保持一致 標準Vcc條件下NVSRAM與同等速度SRAM的操作完全相同 無需擔心存儲數(shù)據(jù)分區(qū)問題，數(shù)據(jù)存儲位置與標準SRAM相同。
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同步動態(tài)SDRAM
DRAM 同步動態(tài)隨機存儲器 SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步動態(tài)隨機存儲器
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內(nèi)存Flash
Flash內(nèi)存即Flash Memory，全名叫Flash EEPROM Memory，又名閃存，是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器
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多制層芯片MCP
MCP 芯片 Mcp Multi-Chip-Package即多制層封裝芯片
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Microcontroller
單片機即單片微型計算機，是把中央處理器、存儲器、定時/計數(shù)器、輸入輸出接口都集成在一塊集成電路芯片上的微型計算機。 它的最大優(yōu)點是體積小，可放在儀表內(nèi)部，但存儲量小，輸入輸出接口簡單，功能較低。 32位用于網(wǎng)絡操作、多媒體處理等復雜處理的場合，一般要使用嵌入式操作系統(tǒng)。
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