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今年以來，發(fā)生了東芝存儲(chǔ)器延期供貨及美光臺(tái)灣晶圓廠液氮泄露等事件，導(dǎo)致了存儲(chǔ)器市場缺貨不斷，價(jià)格一路飆升。

SRAM 是Static Random Access Memory的縮寫，中文含義為靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器，它是一種類型的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。

EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結(jié)構(gòu)。EPROM的浮柵處于絕緣的二氧化硅層中，充入的電子只能用紫外線的能量來激出。EEPROM的單元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide