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半導(dǎo)體SRAM存儲(chǔ)器綜述
最近30年，隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器也正朝著顯著的方向發(fā)展，由于DRAM具有高密度和每位低價(jià)格的優(yōu)點(diǎn)，已成為了生產(chǎn)最多的用
2020-05-14
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SRAM的發(fā)展概況及趨勢(shì)
存儲(chǔ)器作為通用器件，可廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代航天武器系統(tǒng)的控制、制導(dǎo)導(dǎo)航、數(shù)據(jù)采集與傳輸、圖象處理、通訊、測(cè)控等不同領(lǐng)域，完全取代國(guó)外同類(lèi)產(chǎn)品，其應(yīng)用前景十分廣闊。
2020-05-12
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關(guān)于如何提高SRAM存儲(chǔ)器的新方法
SRAM是當(dāng)今處理器上最普遍的內(nèi)存。當(dāng)芯片制造商宣布他們已經(jīng)成功地將更多的電路封裝到芯片上時(shí)，通常是較小的晶體管引起了人們的注意。但是
2020-05-09
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鐵電RAM的優(yōu)勢(shì)
隨著使鐵電存儲(chǔ)器FRAM的非揮發(fā)性，利用晶體的偏振提供了許多優(yōu)于基于電荷的存儲(chǔ)技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)（見(jiàn)表1）。因?yàn)樗苊饬烁偶夹g(shù)的潛在的降解效
2020-05-07
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STM32單片機(jī)擴(kuò)展外部SRAM
IS62WV51216使用芯片使能和輸出使能輸入可輕松擴(kuò)展存儲(chǔ)器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存儲(chǔ)器的寫(xiě)入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許訪(fǎng)問(wèn)高字節(jié)（UB）和低字節(jié)（LB）
2020-04-30
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SRAM存儲(chǔ)單元讀操作分析
一個(gè)典型的SRAM基本結(jié)構(gòu)中，每個(gè)存儲(chǔ)單元都通過(guò)字線(xiàn)和位線(xiàn)與它所在的行和列中的其它存儲(chǔ)單元有電學(xué)連接關(guān)系。水平方向的連線(xiàn)把所有的存儲(chǔ)單
2020-04-28
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