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美光64層3D NAND后將超過72層數(shù)
近兩年,幾大存儲芯片廠商皆在由2D NAND轉(zhuǎn)向3D NAND,美光的3D NAND Flash在2016年底量產(chǎn),第二代64層3D NAND于2017年進(jìn)入量產(chǎn),由32層32GB開始做起,現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)展到64層64GB。美光副總裁Jonathan Shaw表示,
2017-11-27
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DRAM、NAND量產(chǎn)競爭
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,是最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保存很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如
2017-11-23
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SSD出貨量大幅度下滑
這一年來SSD價格雖然持續(xù)高漲,但一直處于生機(jī)勃勃的狀態(tài),技術(shù)創(chuàng)新也不斷出現(xiàn),但是,由于NAND Flash供貨吃緊的狀況還是沒有徹底緩解,
2017-11-23
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三星擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash 明年恐將供過于求
三星(Samsung)今年資本支出將增長至260億美元,其中,又將以3D NANDFlash為發(fā)展主力,研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights認(rèn)為,如此一來,3D NANDFlash恐怕會出現(xiàn)將供過于求的現(xiàn)象。
2017-11-22
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SDRAM與SRAM的區(qū)別
SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,同步是指Memory工作需要同步時鐘,內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為標(biāo)準(zhǔn),動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新
2017-11-22
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Everspin宣布千兆級芯片ST-MARAM提上議程
據(jù)外媒報道,磁性隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)將在今年達(dá)到一個新的高度。Everspin宣布開始嘗試研發(fā)1Gb (128MB)的ST-MRAM芯片,而且他們已經(jīng)將這款高壽命、非易失性的內(nèi)存芯片生產(chǎn)提上議程。Everspin的ST-MRAM
2017-11-16
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