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DDR5介面芯片的存儲器頻寬與密度都比DDR4更高2倍
市場研究公司W(wǎng)ebFeet Research總裁Alan Niebel表示：“市場將會非常需要DDR5 但它仍然是DRAM，而且也很耗電。它推動了傳統(tǒng)的馮?諾伊曼(Von Neuman)系統(tǒng)進展，但我們?nèi)匀恍枰掷m(xù)推出持久型存儲器替
2017-11-30
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替代型存儲器崛起
CPU供應(yīng)商預(yù)計將使其處理器的DDR通道數(shù)從12個增加到16個通道，因此可能使主存儲器的容量從現(xiàn)有的64GB提高到128GB。
2017-11-29
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存儲器世代即將來到DDR5 (第五代雙倍數(shù)據(jù)率)的時代
存儲器頻寬與密度都比目前DDR4更高2倍的DDR5存儲器介面芯片研發(fā)成功，預(yù)計最快在2019年量產(chǎn)，將為服務(wù)器的主存儲器帶來更高效能與功率管理…
2017-11-29
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三星斥巨資 欲抑制中國存儲器發(fā)展
IC Insights估計，今年三星260億美元的半導(dǎo)體支出將分成幾部分： 3D NAND閃存：140億美元（包括在平澤工廠的產(chǎn)能大幅增長） DRAM：70億美元（用于流程遷移和彌補由于遷移造成的容量損失的額外
2017-11-28
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三星斥巨資投入至半導(dǎo)體行業(yè)
據(jù)悉，今年三星豪擲260億美元至半導(dǎo)體行業(yè)，被稱為半導(dǎo)體史上最大的投資額度。三星的巨額投資將會影響該行業(yè)未來的格局，或有可能影響中國儲存器廠商的發(fā)展。
2017-11-28
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NAND FLASH供貨緩解或?qū)⒃?018年第二季度
由于技術(shù)轉(zhuǎn)換，2D NAND產(chǎn)量縮小，以及3D NAND爬坡使得NAND Flash貨源不足，價格瘋漲。消費類閃存產(chǎn)品每GB的單價從2016年0 12美元上漲到0 3美元以上，主流的eMMC產(chǎn)品上漲幅度超過60%，SSD產(chǎn)品超過80%。J
2017-11-27
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