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STT-MRAM以優(yōu)良的性能成為熱門的候選器件
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本
2021-12-08
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MCU市場應(yīng)用和競爭
現(xiàn)今的MCU已經(jīng)演變成為完整的系統(tǒng)級芯片(SoC)，微處理器內(nèi)核的主頻從4M到200MHz不等;片上模擬模塊包括ADC、運放和DAC等;內(nèi)置的存儲器包括Fl
2021-12-06
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新一代MRAM放眼更廣泛應(yīng)用
在MRAM這類內(nèi)存寫入時，組件的穿隧氧化層會承受的龐大電壓，使得數(shù)據(jù)的保存、寫入耐久性，以及寫入速度三者往往不可兼得，必須有所權(quán)衡。這
2021-12-02
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實現(xiàn)高速運行和低功耗的富士通8Mbit FRAM MB85R8M2T
鐵電隨機(jī)存取存儲器是一種使用鐵電文件作為存儲數(shù)據(jù)的電容器的存儲器。即使斷電也能保留內(nèi)容。結(jié)合了ROM和RAM的優(yōu)點，具有快速寫入速度、低
2021-11-26
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使用非易失性FRAM存儲器替換SRAM時的問題和解決方案
FRAM是一種非易失性存儲器產(chǎn)品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點，富士通新推出了具有并行接口型號MB85R8M2TA的8MbitFRAM存儲
2021-11-23
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芯片短缺影響DDR5產(chǎn)能
2022年將開始普及DDR5，其取代DDR步伐越來越快，由于芯片的短缺，導(dǎo)致DDR5交期再次延長到35周。就目前而言，在選購方面兩者的選擇非常明顯
2021-11-19
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