中文字幕成人AV,日韩激情中文字幕在线,吊好视频一区二区三区,韩国日本亚洲一区二区
<fieldset id="dtmrc"><table id="dtmrc"></table></fieldset>
<menuitem id="dtmrc"><dl id="dtmrc"></dl></menuitem>
產(chǎn)品中心
靜態(tài)隨機SRAM
低功耗LPSRAM
串行Serial SRAM
異步快速Async Fast
國產(chǎn)SRAM芯片
偽靜態(tài)隨機pSRAM
Parrallel pSRAM
SPI pSRAM
磁性非易失MRAM
Serial MRAM
Parellel MRAM
xSPI STT-MRAM
Quad Serial MRAM
DDR3/DDR4 ST-MRAM
鐵電存儲器FeRAM
FeRAM
非易失性NV-SRAM
Cypress
VTI
同步動態(tài)SDRAM
SDR SDRAM
DDR1 SDRAM
DDR2 SDRAM
DDR3 SDRAM
Mobile SDRAM
內(nèi)存Flash
Nand Flash
EEPROM
SPI NAND Flash
SPI Nor Flash
多制層芯片MCP
Nand MCP
eMCP
Microcontroller
定制單片機MCU
32位單片機MCU
案例&資訊
行業(yè)案例
資訊動態(tài)
關(guān)于我們
關(guān)于宇芯
組織架構(gòu)圖
聯(lián)系我們
聯(lián)系我們
郵箱：
sales@wridy.com
首頁
網(wǎng)站地圖
EN
資訊動態(tài)
行業(yè)案例
>
資訊動態(tài)
>
資訊動態(tài)
主頁 >
案例&資訊
?
資訊動態(tài)
?
列表
新興存儲中,誰會是MCU未來選擇
MCU作為一款需要集成CPU、SRAM、非易失性存儲器，以及專用外設(shè)的芯片，最常見的存儲器形式主要包括了 eDRAM 、SRAM 易失性存儲器、閃存
2022-11-29
查看詳情 >
DDR5的七大優(yōu)勢
DDR5是一種計算機內(nèi)存規(guī)格。與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標準性能更強，功耗更低。其它變化還有，電壓從1 2V降低到1 1V，同時每通道32 40位（ECC）
2022-11-21
查看詳情 >
RAM在單片機里的用途
RAM在單片機里的用途，主要是存放臨時數(shù)據(jù)。例如用單片機測溫，每秒測1次，顯示1分鐘的平均值（1分鐘更新一次），先通過傳感器、放大電路、
2022-11-10
查看詳情 >
臺積電入局MRAM
早前臺灣工研院攜手臺積電共同發(fā)表的SOT-MRAM技術(shù)，能在低電壓、電流的情況下，達到0 4納米的高速寫入，并具備7兆次的耐受度。該項技術(shù)未來
2022-11-01
查看詳情 >
何為SRAM存儲器靜態(tài)隨機存取
存儲器的靜態(tài)隨機存取SRAM它是一種隨機存取存儲器。靜態(tài)這意味著只要這種存儲器保持通電，內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)就可以保持恒定。SRAM存儲單元是由
2022-10-27
查看詳情 >
2023年DDR5有望成主流
DDR5雖然在前兩年上市進入市場，但由于前期價格昂貴、材料短缺、滲透率低，今年因Cpu上市時間遞延，市場形勢不熟悉，但隨著DRAM價格一路下
2022-10-17
查看詳情 >
411條
上一頁
1
..
9
10
11
12
13
14
15
16
17
..
69
下一頁
友情鏈接
大型鹽霧試驗箱廠家
拉力計
氮化鎵芯片
智慧工業(yè)園
官方微博
阿里巴巴
微信公眾號
宇芯有限公司W(wǎng)ridy company limited
產(chǎn)品中心
靜態(tài)隨機SRAM
偽靜態(tài)隨機pSRAM
磁性非易失MRAM
鐵電存儲器FeRAM
非易失性NV-SRAM
同步動態(tài)SDRAM
內(nèi)存Flash
多制層芯片MCP
Microcontroller
案例&資訊
行業(yè)案例
資訊動態(tài)
關(guān)于我們
關(guān)于宇芯
組織架構(gòu)圖
聯(lián)系我們
聯(lián)系我們
在線客服
2207232297
聯(lián)系電話
18926554009
