存儲器在電子系統(tǒng)中無處不在，而且用途廣泛：從存儲數(shù)據(jù)到緩存、緩沖，以及最近開發(fā)出的（存內(nèi)）計算。存儲器的種類非常多：從發(fā)熱的快速易失性片上SRAM緩存，到低溫的慢速高能耗非易失性存儲閃存，再到多層片外DRAM緩沖器和工作存儲模塊。
 
然而過去數(shù)十年里有太多的技術承諾還沒有實現(xiàn)，人們卻又開始挑戰(zhàn)更新的存儲器技術，似乎已準備好躋身最高級別的存儲器競爭中。微控制器中使用的嵌入式MRAM模塊和數(shù)據(jù)存儲芯片中的獨立XPoint存儲器模塊現(xiàn)如今都屬于最前沿的技術，但只有時間才能證明哪些技術和應用會成功，哪些只不過是白忙活。
 
二十多年來，MRAM的倡導者一直相信，如果有一種能夠在存儲器的各層上使用的先進技術，就可以建立一個更好的（存儲）世界。這項技術的開發(fā)者像是在豪賭，在經(jīng)歷了許多曲折和公關活動之后，業(yè)界似乎終于開始進行產(chǎn)品研發(fā)了。STT MRAM這種產(chǎn)品現(xiàn)已成為業(yè)界公認的嵌入式存儲器選擇方案，取代了作為先進技術節(jié)點的嵌入式閃存。與獨立存儲器所需的尖端技術相比，具有先進特征尺寸的嵌入式存儲器更容易進入市場，所有的龍頭代工廠現(xiàn)在都加入到STT潮流中。盡管實現(xiàn)量產(chǎn)還需假以時日，但MRAM成為主流已不再是“能否”，而是“何時”。


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