磁阻式隨機存取存儲器(Magnetic RAM;MRAM)新創(chuàng)公司Spin Transfer Technologies (STT)最近開發(fā)出MRAM專用技術，據說能夠以同步提高數據保持(retention)與降低電流的方式，加強任何MRAM陣列的性能。

　　
STT技術長Mustafa Pinarbasi介紹，該公司開發(fā)出的“歲差自旋電流”(Precessional Spin Current;PSC)結構，有望提高MRAM的密度和零漏電流的能力。這種新的結構能應用于行動、數據中心CPU、汽車、儲存、物聯網(IoT)與人工智慧等(AI)領域。

　  
這種PSC結構將能夠讓MRAM元件的自旋力矩(spin-torque)效率提高40%至70%。這說明它的數據保持能力不僅更高，而且功耗還更低。Pinarbasi表示，這些好處可轉化為延長超過10,000倍的保持時間，所以，1小時可延長至1年以上，而寫入電流則減少了。此外，隨著垂直磁穿隧接面(pMTJ)越來越小，PSC結構的效率將會更高。Pinarbasi說：“我們開發(fā)的是一種模組化的結構，它確實是PMTJ元件的延伸。”。

　　  
                            
 

MRAM新創(chuàng)公司STT表示，其PSC結構能將MRAM元件的自旋力矩效率提高40%～70%

　　
STT業(yè)務開發(fā)資深副總裁Jeff Lewis補充道，“我們最初就將它打造成模組化的設計。這說明我們能將此PSC結構添加到其他任何的pMTJ中。您可以將它視為現有MRAM設計的『渦輪增壓器』。”

　　
Lewis說，PSC結構可以被整合于所有MRAM制造商的現有流程中。除了生產STT-MRAM時原本使用的材料或工具，不用再另行添加，所以，該結構幾乎不會對于代工廠帶來任何復雜度或成本。

　　
Pinarbasi說，PSC結構在工作中有兩種特殊效應。一種是靜態(tài)的，另一種則是動態(tài)的。因為靜電效應能夠大量提高元件的數據保持能力。

　　
而動態(tài)效應則能從0切換到1，反之亦然，而且這很重要，因為靜態(tài)保持能力和電流之間始終存在相關性。Pinarbasi說：“如今，我們已經將這兩種效應分開來了，可以在獨立提高數據保持的同時也降低電流。”

　　
雖然PSC結構能讓STT-MRAM解決SRAM的尺寸和成本缺點，以及DRAM的揮發(fā)性和功耗復雜度，但Pinarbasi說，STT并不僅僅將基于PSC結構的MRAM視為取代現有存儲器的技術，還打算將它用于物聯網、汽車和人工智慧帶來的綠地機會。

　　  
                                
 

PSC結構為特定電流提供了顯著的速度增益。在125μA時，PSC的速度低于4ns，而使用4Kbit晶片和40nm元件尺寸時，pMTJ的速度還不到30ns

　　
市場研究機構Coughlin Associates資深分析師兼創(chuàng)辦人Thomas Coughlin預計，未來將會出現針對MRAM發(fā)展的原生市場，特別是嵌入式應用，而且還取代了裝置內部采用SRAM或不同的存儲器快取的位置。Coughlin說，“因為這些元件及其非揮發(fā)性存儲器功能，很快地，市占率將會出現一些變化，同時帶來新的市場發(fā)展。”

　　
雖然MRAM確定將在存儲器元件的未來發(fā)揮重要作用，但他說目前還處于發(fā)展的早期階段， MRAM主要仍然用于利基型應用中。至于STT開發(fā)的PSC結構將在這個市場上扮演多么重要的角色，還有待時間的證明。Coughlin說：“打造更精巧的結構確實有其價值，它比傳統(tǒng)的MRAM產品更有利于進一步擴展。但你必須重新審視，仔細看看它實際上如何運作。”

　　
Coughlin預計，明年將會有許多的MRAM產品上市，特別是隨著代工廠和主要半導體公司量產，將更加著重于嵌入式市場。“人們將會尋求差異化，而這將有助于其找到一些方法，以減輕其投入產品差異化的技術與資源。”

　　
展望未來五年，Coughlin表示，MRAM將會是一個更大的利基市場。他說：“許多商用產品甚至在那之后的一、年內都還無法到位或投入使用。



關鍵詞：MRAM

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