存儲(chǔ)芯片有望擺脫低迷行情
來源: 日期:2023-12-29 17:24:55
因生成式AI普及帶動(dòng)相關(guān)半導(dǎo)體產(chǎn)品需求急增,2024年全球半導(dǎo)體市場有望迎來復(fù)蘇。尤其是存儲(chǔ)芯片,預(yù)計(jì)2024年銷售額將達(dá)到1,297.68億美元,增幅高達(dá)44.8%,成為推升半導(dǎo)體市場營收成長的主要?jiǎng)幽堋?/div>
智能手機(jī)、PC和服務(wù)器是存儲(chǔ)芯片的三大主流應(yīng)用領(lǐng)域,隨著生成式AI技術(shù)和ChatGPT大語言模型的發(fā)展,存儲(chǔ)應(yīng)用正逐步多元化,在人工智能更貼近生活的同時(shí)也催生出更多的AI存儲(chǔ)應(yīng)用,給存儲(chǔ)應(yīng)用企業(yè)帶來更多的發(fā)展動(dòng)力。
關(guān)注存儲(chǔ)行業(yè),自2023年Q4起,
DRAM與NAND Flash均價(jià)就開始出現(xiàn)全面上漲的趨勢。針對2023年Q4 存儲(chǔ)的市場表現(xiàn),ESM-China認(rèn)為,DRAM的合約價(jià)漲幅控制在個(gè)位數(shù),Nand Flash的合約價(jià)最高可到雙位數(shù)。預(yù)計(jì)存儲(chǔ)器的整體漲勢會(huì)延續(xù)到2024年上半年。
在HBM方面,考慮到與傳統(tǒng)服務(wù)器相比,AI服務(wù)器使用的內(nèi)存至少多出1-8倍,以實(shí)現(xiàn)更快的計(jì)算處理,并采用HBM3和DDR5 DRAM等高性能內(nèi)存產(chǎn)品,這不僅會(huì)推動(dòng)需求,而且對盈利能力產(chǎn)生了積極影響。對此,全球HBM大廠紛紛計(jì)劃于2024年將HBM芯片產(chǎn)量提高一倍,并減少其他類別存儲(chǔ)芯片的投資,尤其是庫存水平較高、盈利能力差的NAND。
除了漲價(jià)、AI應(yīng)用之外,終端需求的復(fù)蘇也很有可能加速推動(dòng)存儲(chǔ)的發(fā)展。尤其是隨著網(wǎng)通設(shè)備、安防監(jiān)控、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、PC、工業(yè)、醫(yī)療和汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展,為存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造了廣闊的機(jī)會(huì),市場需求前景良好。
本文關(guān)鍵詞:存儲(chǔ)芯片
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