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STT-MRAM與nvSRAM的比較
來源： 日期：2023-04-06 11:38:18
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有SRAM的高速讀取寫入能力，以及DRAM的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。MRAM具備高速讀寫、低功耗、高密度、耐擦寫、寬溫區(qū)和抗輻照等優(yōu)勢。
非易失性隨機(jī)存取存儲器
•像SRAM一樣工作: 高速、高續(xù)航、單字節(jié)訪問
•像ROM/Flash一樣存儲:不易揮發(fā)，保存時間長
MRAM優(yōu)勢
•無需超級電容器
-節(jié)省板面積，減少組件
•快速通電
-快速系統(tǒng)恢復(fù)
醫(yī)療系統(tǒng)示例
本文關(guān)鍵詞：STT-MRAM,MRAM,nvSRAM
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非易失性隨機(jī)存取存儲器
•像SRAM一樣工作: 高速、高續(xù)航、單字節(jié)訪問
•像ROM/Flash一樣存儲:不易揮發(fā)，保存時間長
MRAM優(yōu)勢
•無需超級電容器
-節(jié)省板面積，減少組件
•快速通電
-快速系統(tǒng)恢復(fù)
| nvSRAM | Winner | STT-MRAM | |
| Write Speed* | 25ns~45ns | ← | 35ns~300ns |
| Super-Capacitor Requirement | YES | → | NO |
| Recover time | 600μs | → | Instant |
醫(yī)療系統(tǒng)示例
本文關(guān)鍵詞：STT-MRAM,MRAM,nvSRAM
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