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Microchip滿足惡劣的航天系統(tǒng)設計環(huán)境的64兆位串行SuperFlash

來源: 日期:2022-05-10 11:47:52

航天器系統(tǒng)設計人員非常需要縮短系統(tǒng)開發(fā)時間,并降低系統(tǒng)開發(fā)成本和風險。Microchip 提出從商用現(xiàn)貨(COTS)器件開始,然后用宇航級等效耐輻射(RT)元件進行替換的理念。Microchip宣布擴展其基于商用現(xiàn)貨技術(shù)的耐輻射SuperFlash®產(chǎn)品系列,將Microchip存儲器技術(shù)無與倫比的50千拉德(krad)總電離劑量(TID)耐受引入64兆位串行四通道I/O NOR閃存器件,用于惡劣的航天和國防系統(tǒng)環(huán)境。
 
SST26LF064RT Super Flash器件為64兆位串行四通道I/O存儲器解決方案帶來市場上最佳的TID性能,可與各種空間應用中的任何基于SRAM的FPGA一起工作。這款器件適合近地軌道(LEO)空間衛(wèi)星和其他惡劣輻射環(huán)境中所用的系統(tǒng),在這些環(huán)境中存儲驅(qū)動完整系統(tǒng)的關(guān)鍵軟件代碼或比特流需要配套閃存。
 
與常規(guī)堆疊式柵極閃存相比,Microchip Super Flash NOR閃存產(chǎn)品提供專有分離式柵極單元架構(gòu)以改善性能、提高數(shù)據(jù)保留和可靠性。這些產(chǎn)品消除了電源管理切換的復雜性,即使在閃存仍處于供電和系統(tǒng)運行狀態(tài)時(比如衛(wèi)星機載計算機和面向電機、傳感器、太陽能電池板與配電的不同類型控制器),也能實現(xiàn)業(yè)內(nèi)高TID。
 
Microchip RT SuperFlash技術(shù)已在工業(yè)應用中得到驗證,現(xiàn)已作為并行接口解決方案與64兆位SST38LF6401RT器件配合使用,該器件現(xiàn)已通過宇航級認證,可用于航天器搭載模型。借助SST26LF064RT產(chǎn)品,設計人員現(xiàn)在還可以選擇串行四通道I/O 64兆位存儲器。
 
應用筆記說明如何將64兆位串行SuperFlash器件與Microchip的SST26LF064RT RT閃存參考評估板和宇航級基于SRAM 的FPGA配合使用。與Microchip的并行SuperFlash存儲器一樣,串行SuperFlash產(chǎn)品也可用作FPGA和其他Microchip解決方案的配置存儲器,比如基于arm® Cortex®-M7的SAMRH707抗輻射單片機(MCU)。該產(chǎn)品也可與RT PolarFire® FPGA配合使用,以支持航天器搭載系統(tǒng)的重新配置。

本文關(guān)鍵詞:Flash,SRAM,Microchip


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