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SRAM市場(chǎng)與技術(shù)
來(lái)源：宇芯有限公司 日期：2020-05-22 10:12:15
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM由于是利用觸發(fā)器電路作為存儲(chǔ)單元，只要不切斷其供電電源，它就能永遠(yuǎn)保存所寄存的數(shù)據(jù)信息。因此. SRAM與通常的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM 不同.不需要刷新操作.控制相對(duì)簡(jiǎn)單許多。
鑒于SRAM這一獨(dú)列的特點(diǎn)， 它廣泛地應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，諸如產(chǎn)業(yè)、民間、通信、測(cè)試、計(jì)算機(jī)以及網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)等領(lǐng)域。隨著移動(dòng)電話的普及應(yīng)用，在移動(dòng)通信領(lǐng)域里也急需大暈的SRAM器件。
SRAM器件系列分類
SRAM用途不同，可把SRAM分成如下3大系列產(chǎn)品:①低消耗電流為主要特點(diǎn)的低消耗電力版SRAM(即所謂中速SRAM);②以高速工作為主要特點(diǎn)的高速版SRAM;③同步SRAM,顧名思義，使它與時(shí)鐘信號(hào)同步工作，追求更高速度，詳細(xì)情況可參閱SRAM產(chǎn)品，系列分類圖(圖1所示)。
為了使SRAM在低電壓工作并實(shí)現(xiàn)低消耗電流,存儲(chǔ)器單元電路(MemoryCl)也開(kāi)始由大電阻作為負(fù)載電阻的4管MOS電路轉(zhuǎn)向利用有源負(fù)載的6管MOS電路，詳見(jiàn)圖2所示。但是6管MOS存儲(chǔ)單元因有源器件用6個(gè)，占用芯片面積較大。
圖2 SRAM用存儲(chǔ)單元電路結(jié)構(gòu)
此外，隨著半導(dǎo)體精細(xì)加工工藝技術(shù)進(jìn)步，在SRAM內(nèi)部實(shí)際工作的電壓和外部施加的電壓之間形成電壓差值。為解決這一問(wèn)題，今后必須引入降壓電路。由于要求低消耗電流，降壓電路里的電流也不允許過(guò)大.
如何選擇SRAM
基于上述的介紹，現(xiàn)已了解到SRAM按照用途可以分為三大類系列。而且.在各個(gè)系列產(chǎn)品里，按照存儲(chǔ)容量、供電電壓、存取速度、消耗電流和封裝結(jié)構(gòu)又細(xì)分為各種各樣的具體產(chǎn)品。那么究竟如何從中選擇出適用的器件呢?作為SRAM器件用戶,首先要確認(rèn)這些器件的性能規(guī)范和能否穩(wěn)定的提供貨源(包括是否第二來(lái)源};在此基礎(chǔ)之上再根據(jù)實(shí)際應(yīng)用情況，選取適用的器件.
SRAM器件規(guī)范按照多種用途向多樣化方向發(fā)展.今后這種傾向也將愈來(lái)愈明顯。從用戶方面觀察,需要探討的課題便是如何從形形色色的SRAM產(chǎn)品中選購(gòu)出所需要的最佳器件。然而從器件生產(chǎn)廠家觀察，需要研究的課題就更多一些，諸如，確定適應(yīng)多樣化需要的器件產(chǎn)品規(guī)范、產(chǎn)品系列和如何調(diào)用新技術(shù)把器件產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)商品化。
VTI SRAM
宇芯有限公司自成立以來(lái)，我們專注于代理國(guó)內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來(lái)?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS等多個(gè)品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲(chǔ)器芯片，致力于為客戶提供具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲(chǔ)方案解決商。
鑒于SRAM這一獨(dú)列的特點(diǎn)， 它廣泛地應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，諸如產(chǎn)業(yè)、民間、通信、測(cè)試、計(jì)算機(jī)以及網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)等領(lǐng)域。隨著移動(dòng)電話的普及應(yīng)用，在移動(dòng)通信領(lǐng)域里也急需大暈的SRAM器件。
SRAM器件系列分類
SRAM用途不同，可把SRAM分成如下3大系列產(chǎn)品:①低消耗電流為主要特點(diǎn)的低消耗電力版SRAM(即所謂中速SRAM);②以高速工作為主要特點(diǎn)的高速版SRAM;③同步SRAM,顧名思義，使它與時(shí)鐘信號(hào)同步工作，追求更高速度，詳細(xì)情況可參閱SRAM產(chǎn)品，系列分類圖(圖1所示)。
圖1 SRAM產(chǎn)品分類
為了使SRAM在低電壓工作并實(shí)現(xiàn)低消耗電流,存儲(chǔ)器單元電路(MemoryCl)也開(kāi)始由大電阻作為負(fù)載電阻的4管MOS電路轉(zhuǎn)向利用有源負(fù)載的6管MOS電路，詳見(jiàn)圖2所示。但是6管MOS存儲(chǔ)單元因有源器件用6個(gè)，占用芯片面積較大。
圖2 SRAM用存儲(chǔ)單元電路結(jié)構(gòu)
此外，隨著半導(dǎo)體精細(xì)加工工藝技術(shù)進(jìn)步，在SRAM內(nèi)部實(shí)際工作的電壓和外部施加的電壓之間形成電壓差值。為解決這一問(wèn)題，今后必須引入降壓電路。由于要求低消耗電流，降壓電路里的電流也不允許過(guò)大.
如何選擇SRAM
基于上述的介紹，現(xiàn)已了解到SRAM按照用途可以分為三大類系列。而且.在各個(gè)系列產(chǎn)品里，按照存儲(chǔ)容量、供電電壓、存取速度、消耗電流和封裝結(jié)構(gòu)又細(xì)分為各種各樣的具體產(chǎn)品。那么究竟如何從中選擇出適用的器件呢?作為SRAM器件用戶,首先要確認(rèn)這些器件的性能規(guī)范和能否穩(wěn)定的提供貨源(包括是否第二來(lái)源};在此基礎(chǔ)之上再根據(jù)實(shí)際應(yīng)用情況，選取適用的器件.
SRAM器件規(guī)范按照多種用途向多樣化方向發(fā)展.今后這種傾向也將愈來(lái)愈明顯。從用戶方面觀察,需要探討的課題便是如何從形形色色的SRAM產(chǎn)品中選購(gòu)出所需要的最佳器件。然而從器件生產(chǎn)廠家觀察，需要研究的課題就更多一些，諸如，確定適應(yīng)多樣化需要的器件產(chǎn)品規(guī)范、產(chǎn)品系列和如何調(diào)用新技術(shù)把器件產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)商品化。
VTI SRAM
| 型號(hào) | 容量 | 位寬 | 電壓(V) | 速度(MHz) | 接口 | 包裝 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VTI7064LSM | 64Mbit | 8M x 8 | 1.8 | 104 | SQI | Tube，T&R |
| VTI7064LSM | 64Mbit | 8M x 8 | 1.8 | 20 | SPI | Tube，T&R |
| VTI7064MSM | 64Mbit | 8M x 8 | 3 | 104 | SQI | Tube，T&R |
| VTI7064MSM | 64Mbit | 8M x 8 | 3 | 20 | SPI | Tube，T&R |
| VTI7032LSM | 32Mbit | 4M x 8 | 1.8 | 133 | SQI | Tube，T&R |
| VTI7032LSM | 32Mbit | 4M x 8 | 1.8 | 20 | SPI | Tube，T&R |
| VTI7016LSM | 16Mbit | 2M x 8 | 1.8 | 133 | SQI | Tube，T&R |
| VTI7016LSM | 16Mbit | 2M x 8 | 1.8 | 20 | SPI | Tube，T&R |
| VTI7001NSM | 1Mbit | 128K x 8 | 3.3 | 20 | SPI | Tube，T&R |
| VTI7001LSM | 1Mbit | 128K x 8 | 1.8 | 20 | SPI | Tube，T&R |
| VTI7512NSM | 512Kbit | 64K x 8 | 3.3 | 20 | SPI | Tube，T&R |
| VTI7512LSM | 512Kbit | 64K x 8 | 1.8 | 20 | SPI | Tube，T&R |
| VTI7256NSM | 256Kbit | 32K x 8 | 3.3 | 20 | SPI | Tube，T&R |
| VTI7256LSM | 256Kbit | 32K x 8 | 1.8 | 20 | SPI | Tube，T&R |
| VTI7128LSM | 128Kbit | 16K x 8 | 1.8 | 20 | SPI | Tube，T&R |
| VTI7128NSM | 128Kbit | 16K x 8 | 3.3 | 20 | SPI | Tube，T&R |
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