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研究人員開發(fā)一種新的MRAM單元結構

來源:宇芯有限公司 日期:2020-04-17 09:54:17

MRAM存儲芯片可以抵抗高輻射,可以在極端溫度條件下運行,并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車和工業(yè),軍事及太空應用,這些對于MRAM存儲芯片開發(fā)人員來說是重要的部分。


東京工業(yè)大學的研究人員開發(fā)了一種新的MRAM單元結構,該結構依賴于單向自旋霍爾磁阻(USMR)。新的單元結構只有兩層。這可能導致成本更低的MRAM器件。

自旋霍爾效應導致電子在材料的側面以一定的自旋積累。通過將拓撲絕緣體與鐵磁半導體相結合,研究人員設法制造出具有巨型USMR的器件。

MRAM存儲芯片是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術。MRAM存儲芯片具有成為通用存儲器的潛力-能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度結合在一起,同時始終保持非易失性和高能效的特點。MRAM存儲器技術仍遠未實現(xiàn)其潛力,但是截至2020年初,市場上有從很小的非易失性MRAM到1Gb芯片的MRAM存儲芯片,并且公司正在將這種技術用于許多應用。宇芯有限公司代理行業(yè)翹楚Everspin MRAM存儲芯片.設計了多款校準方案,都在量產供貨中,獲得了大量用戶的認可。


Everspin MRAM存儲芯片
型號 容量 位寬 電壓(V) 溫度 封裝 MOQ /卷帶
MR25H40CDC 4Mb 512Kx8 3.3V -40℃to+85℃ 8-DFN 4,000
MR20H40CDF 4Mb 512Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN sf 4,000
MR25H40CDF 4Mb 512Kx8 3.3V -40 ℃to +85℃ 8-DFN sf 4,000
MR25H40MDF 4Mb 512Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN sf 4,000
MR25H10CDC 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN 4,000
MR25H10MDC 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN 4,000
MR25H10CDF 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN sf 4,000
MR25H10MDF 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN sf 4,000
MR25H256CDC 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN 4,000
MR25H256MDC 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN 4,000
MR25H256CDF 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN sf 4,000
MR25H256MDF 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN sf 4,000



關鍵詞:everspin MRAM  
 

宇芯有限公司自成立以來,我們專注于代理國內外各大知名品牌的半導體元器件,代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS等多個品牌總代理資質,主要產品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片,致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產品,是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。