研究人員開發(fā)一種新的MRAM單元結構
來源:宇芯有限公司 日期:2020-04-17 09:54:17
MRAM存儲芯片可以抵抗高輻射,可以在極端溫度條件下運行,并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車和工業(yè),軍事及太空應用,這些對于MRAM存儲芯片開發(fā)人員來說是重要的部分。
東京工業(yè)大學的研究人員開發(fā)了一種新的
MRAM單元結構,該結構依賴于單向自旋霍爾磁阻(USMR)。新的單元結構只有兩層。這可能導致成本更低的MRAM器件。
自旋霍爾效應導致電子在材料的側面以一定的自旋積累。通過將拓撲絕緣體與鐵磁半導體相結合,研究人員設法制造出具有巨型USMR的器件。
MRAM存儲芯片是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術。MRAM存儲芯片具有成為通用存儲器的潛力-能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度結合在一起,同時始終保持非易失性和高能效的特點。MRAM存儲器技術仍遠未實現(xiàn)其潛力,但是截至2020年初,市場上有從很小的非易失性MRAM到1Gb芯片的MRAM存儲芯片,并且公司正在將這種技術用于許多應用。宇芯有限公司代理行業(yè)翹楚Everspin MRAM存儲芯片.設計了多款校準方案,都在量產供貨中,獲得了大量用戶的認可。
Everspin MRAM存儲芯片
型號 |
容量 |
位寬 |
電壓(V) |
溫度 |
封裝 |
MOQ /卷帶 |
MR25H40CDC |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃to+85℃ |
8-DFN |
4,000 |
MR20H40CDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
MR25H40CDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40 ℃to +85℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
MR25H40MDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
MR25H10CDC |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN |
4,000 |
MR25H10MDC |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN |
4,000 |
MR25H10CDF |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
MR25H10MDF |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
MR25H256CDC |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN |
4,000 |
MR25H256MDC |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN |
4,000 |
MR25H256CDF |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
MR25H256MDF |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
關鍵詞:everspin MRAM
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