繼6月底宣布組建DRAM事業(yè)群后，最近紫光集團DRAM開始落地工廠建設。8月27日紫光集團與重慶政府簽署紫光存儲芯片產業(yè)基地項目合作協(xié)議。
 
根據協(xié)議紫光集團未來會在重慶兩江新區(qū)發(fā)起設立紫光國芯集成電路股份有限公司和重慶紫光集成電路產業(yè)基金，在重慶兩江新區(qū)建設DRAM總部研發(fā)中心、紫光DRAM事業(yè)總部、DRAM存儲芯片制造工廠、紫光科技園等。
 
據了解紫光重慶DRAM存儲芯片制造工廠主要專注于12英寸DRAM存儲芯片的制造，該工廠目前計劃在2019年底開工建設預計在2021年建成投產。在芯片工廠建成前紫光集團先期在現(xiàn)有芯片工廠內設立產品中試生產線，并研發(fā)產品生產工藝技術待工藝成熟后在紫光重慶芯片工廠量產。
 
有備而來：重量級高管+良好基礎
 
進軍DRAM領域
 
兩個月前紫光集團宣布組建紫光集團DRAM事業(yè)群，刁石京被委任為紫光集團DRAM事業(yè)群董事長，高啟全被委任為紫光集團DRAM事業(yè)群CEO。這兩位人物相信業(yè)界人士均不陌生，兩位都是在集成電路及存儲芯片領域有著深厚的積累和經驗。
 
刁石京被稱為中國ICT領域的靈魂人物并在ICT領域擁有超過30年經驗，，從業(yè)履歷出彩，去年開始正式加入紫光集團，現(xiàn)在擔任紫光集團聯(lián)席總裁、紫光國微董事長、紫光展銳執(zhí)行董事長、長江存儲執(zhí)行董事等職務。
 
高啟全從1980年起就一直在半導體及DRAM領域工作，是全球DRAM領域資深元老級人物。他在2015年加入紫光集團，現(xiàn)在擔任紫光集團全球執(zhí)行副總裁、長江存儲執(zhí)行董事及代行董事長、武漢新芯CEO等職位。
 
除了兩位重量級高管人員配置外，紫光集團事實上在DRAM領域亦早已有所積累。據了解紫光集團早在2014年期間就曾表達出發(fā)展DRAM的決心，但當時為了平衡產業(yè)與地方發(fā)展，確立發(fā)展NAND Flash的路線。
 
如今紫光集團旗下的長江存儲已建立起NAND Flash存儲芯片設計到制造的完整產業(yè)鏈，有了長江存儲的工廠建設以及存儲芯片制造的經驗，紫光集團有望迅速完成DRAM新工廠的興建。
 
此外紫光集團旗下的西安紫光國芯前身為西安華芯半導體，是由原奇夢達科技（西安）有限公司2009年5月改制重建的基礎上發(fā)展起來的，奇夢達科技是由英飛凌分拆而成的內存公司，曾是為全球第二大的DRAM公司。西安紫光國芯在DRAM領域擁有從產品立項、指標定義、電路設計、版圖設計到硅片、顆粒、內存條測試及售前售后技術支持等全方位技術積累。
 
據報道西安紫光國芯自主創(chuàng)新出全球首系列內嵌自檢測修復DRAM存儲器產品（ECC DRAM）。其開發(fā)的存儲器芯片產品覆蓋標準SDR、DDR、DDR2、DDR3、DDR4和低功耗系列LPDDR2、LPDDR4，存儲器模組產品包括臺式機內存模組（UDIMM）、服務器內存模組（RDIMM，NVDIMM）和筆記本內存模組（SODIMM）。
 
有刁石京和高啟全兩大巨頭的掌舵以及上述在DRAM領域的良好基礎，業(yè)界認為紫光集團進軍DRAM后續(xù)發(fā)展值得期待。
 
從NAND到DRAM布局存儲芯片
 
根據此次簽署的協(xié)議，紫光集團擬在重慶發(fā)起設立的紫光國芯集成電路股份有限公司將作為紫光集團已經和未來在各地設立的存儲芯片制造工廠的投資主體，建立世界級存儲芯片領域核心產業(yè)集團。
 
此前紫光集團提出“從芯到云”的戰(zhàn)略布局，主要由芯產業(yè)和云產業(yè)兩大部分組成，芯產業(yè)包括三大板塊：綜合性芯片、安全芯片、存儲器。核心存儲器板塊是以長江存儲為核心、與紫光存儲等企業(yè)一起構成，包括了存儲器芯片的設計、生產以及相關存儲產品的開發(fā)。
 
自2016年以來紫光集團相繼在武漢、南京、成都建設起三座存儲芯片制造工廠。其中位于武漢的長江存儲在武漢新芯的基礎上已成功設計并制造了中國首批3D NAND閃存芯片；2018年8月長江存儲宣布推出全新3D NAND架構Xtacking；近日在智博會上，紫光集團首次展出了長江存儲的64層3D NAND閃存芯片，按照規(guī)劃預計于今年年底正式量產。
 
除了長江存儲紫光集團董事長趙偉國公開表示，紫光集團要在南京、成都等比例復制武漢工廠模式。
 
紫光南京集成電路基地項目計劃投資額度為300億美元占地面積大約1500畝，主要產品為3D NAND Flash存儲芯片和DRAM內存芯片。2018年9月30日該項目一期正式開工建設，根據浦口經濟開發(fā)區(qū)消息，截止2019年4月上旬，項目現(xiàn)場樁基（總約1.5萬根）施工和內部正式道路（共7條）全部結束。
 
2018年10月紫光成都存儲器制造基地項目也正式開工，該項目占地面積約1200畝，投資額度高達240億美元，將建設12英寸3D NAND存儲器晶圓生產線，并開始對存儲器芯片及模塊、解決方案等關聯(lián)產品的研發(fā)、制造和銷售。
 
隨著這次紫光存儲芯片產業(yè)基地項目落地重慶簽約，紫光集團在DRAM領域走出了重要的一步，新的DRAM存儲芯片制造工廠將來落成之時也將為紫光集團打下另一片存儲芯片的天下。

關鍵詞：NAND Flash
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