IS61LPS204832B用于通信和網(wǎng)絡(luò)的高性能
SRAM內(nèi)存,先進的CMOS技術(shù)，器件集成了一個2位突發(fā)計數(shù)器，高速SRAM內(nèi)核和highdrive,能力輸出到單個單片電路,同步輸入通過寄存器控制,一個正邊沿觸發(fā)的單時鐘輸入。
特征
•內(nèi)部自定時寫周期
•單字節(jié)寫入控制和全局寫入
•時鐘控制，注冊地址，數(shù)據(jù)和
控制
•使用MODE輸入進行突發(fā)序列控制
•三芯片使能選項，可實現(xiàn)簡單的深度擴展
并處理流水線
•通用數(shù)據(jù)輸入和數(shù)據(jù)輸出
•取消選擇時自動關(guān)機
•單周期取消選擇
•休眠模式，用于低功耗待機
•用于PBGA封裝的JTAG邊界掃描
• 電源
LPS：Vdd 3.3V（+ 5％），Vddq 3.3V / 2.5V（+ 5％）
VPS：Vdd 2.5V（+ 5％），Vddq 2.5V（+ 5％）
VVPS：Vdd 1.8V（+ 5％），Vddq 1.8V（+ 5％）
•JEDEC 100引腳TQFP，119球PBGA和
165球PBGA封裝
•無鉛可用
關(guān)鍵詞：SRAM
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