ReRAM代表電阻式隨機存取存儲器，是一種非易失性存儲器，具有如低功耗和快速寫入的特長。該存儲器在所有存儲器產(chǎn)品中的讀取電流都最小，特別適合于助聽器等可穿戴設備。
 
    ReRAM具有放置在電極之間的金屬氧化物的簡單結構，并且其制造工藝非常簡單。它通過施加脈沖電壓對金屬氧化物薄膜產(chǎn)生的電阻的巨大變化來記錄“ 1或0”數(shù)據(jù)。
 
    與傳統(tǒng)的EEPROM相比，盡管具有相同的芯片尺寸，但富士通半導體的ReRAM具有兩倍以上的內(nèi)存容量。芯片的尺寸是有限的，以便適合小體積的助聽器，而EEPROM是常用的。
 
    此外，由于富士通半導體的ReRAM與EEPROM規(guī)范兼容，因此只需用ReRAM替換EEPROM即可使用，從而最大限度地減少客戶在更換ReRAM時的設計工作。富士通ReRAM具有業(yè)界最小的讀取電流。最適合于助聽器等電池供電的小型可穿戴設備。

本文關鍵詞：ReRAM,富士通

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