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MCU久經(jīng)不衰
MCU技術(shù)最初始于20世紀(jì)70年代，由于集成度有限，技術(shù)不成熟，當(dāng)時(shí)MCU只能滿足簡(jiǎn)單的操作任務(wù)。然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展，MCU的
2023-07-24
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靈動(dòng)微電子MM32G0001滿足平替8/16位MCU升級(jí)需求
隨著工藝的發(fā)展，老工藝的成本劣勢(shì)越來(lái)越凸顯，在先進(jìn)工藝上小Flash和EEPROM的實(shí)現(xiàn)也不再經(jīng)濟(jì)，因此從工藝角度看，8 16位MCU的發(fā)展已經(jīng)
2023-07-21
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靈動(dòng)微電子推出支持BLE 5.1的低功耗藍(lán)牙MM32WB0510
靈動(dòng)微電子全新推出符合 BLE 5 1 規(guī)范的MM32WB0510 系列 MCU。MM32WB0510系列集成 BLE 5 1 射頻模塊，工作在 2 4GHz ISM 頻
2023-07-19
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存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)喜憂參半
存儲(chǔ)芯片廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、智能終端、數(shù)據(jù)中心等諸多領(lǐng)域。 就市場(chǎng)層面而言，在經(jīng)歷了前幾年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)缺芯潮的火熱需求之后，存儲(chǔ)
2023-07-13
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存內(nèi)計(jì)算的主流技術(shù)路線
目前，存內(nèi)計(jì)算的主流技術(shù)路線分為3種，分別是Flash、靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)和阻變式存儲(chǔ)器(RRAM)。選擇SRAM，有著多方面的考量，包括SRAM對(duì)
2023-07-11
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磁變存儲(chǔ)器MRAM
MRAM是一種基于隧穿磁阻效應(yīng)的技術(shù)，MRAM的產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域以及新興的IoT嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域，該技術(shù)擁有讀寫次數(shù)無(wú)
2023-07-07
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